群联发布 PS5018-E18 SSD 主控:12nm 制程,支持 176 层闪存颗粒

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 5 月 26 日消息 群联电子(Phison)昨日正式推出全新的 NVMe SSD 主控芯片,型号为 PS5018-E18。这款芯片采用 PCIe 4.0×4 通道,读写性能均突破 7000MB/s。不仅如此,这款芯片采用了台积电 12nm 制程工艺,相比市面上的其它主控能够有效降低发热。

群联发布 PS5018-E18 SSD 主控:12nm 制程,支持 176 层闪存颗粒

群联此款主控具有三颗 ARM Cortex R5 核心,同时具备双 CoXProcessor 处理器用于数据传输、地址转换。主控支持第四代 LDPC 纠错引擎,兼容 NVMe 1.4 协议规范。

群联发布 PS5018-E18 SSD 主控:12nm 制程,支持 176 层闪存颗粒

速度方面,E18 主控相比此前推出的 E16 主控性能有了明显提升,顺序读取超过 7400MB/s,顺序写入超过 7000MB/s。主控芯片兼容 176 层 NAND 闪存颗粒,其随机读写性能相比市面上的 96 层颗粒提升了 35%,可达 100 万 IOPS

群联发布 PS5018-E18 SSD 主控:12nm 制程,支持 176 层闪存颗粒

群联发布 PS5018-E18 SSD 主控:12nm 制程,支持 176 层闪存颗粒

据IT之家了解,群联这款主控芯片具有 8 通道、32CE,兼容 DDR4 缓存,支持最大容量为 8TB。官方表示,产品将于在中国台北举办的 Computex 2021 展会上展出。

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